窥字的结构_窥字的结构

窥探字符结构2024年3月20日金融行业消息，根据国家知识产权局公告，金卡智能集团股份有限公司已获得授权公告号为“一种用于判断的计数结构”一种基于电容确定字符轮位置的计数方法CN109540178B，申请日为2018年12月。专利摘要显示，本发明涉及测量与计数技术领域，具体涉及一种基于电容确定字符轮位置的计数方法。字符轮。好的！

据金融行业2024年3月13日消息，据国家知识产权局消息，三星电子有限公司已获得授权公告号CN110911416B，名称为《集成电路器件及制造方法》，申请日期为2019 年6 月，月亮。专利摘要显示一种集成电路元件包括字线结构、绝缘结构、沟道孔以及电荷捕捉图案。字线结构和隔离结构相互交错又如何呢？

在第一沟槽内形成晶体管结构，晶体管结构包括覆盖第一沟槽内壁的栅极层以及位于栅极层内的有源结构。形成沿第二方向延伸的字线，覆盖沿第二方向间隔的多个存储区中的栅极层。本发明简化了水平字线的形成工艺并降低了半导体成本，这将在后面介绍。

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桂子星树长鑫存储技术有限公司已获得授权公告号CN110299324B，名称为“半导体存储器的晶体管结构及制造方法”，申请日期为2018年3月。专利摘要显示，本发明提出了一种半导体存储器的晶体管结构。半导体存储器及其制造方法。该方法包括：在基板上形成有源区以及与其交叉的字线；两条字线之间形成接触等就可以说话。

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第一导电层与栅极介电层的侧表面接触，第二导电层位于相邻的有源柱之间，并且第一导电层位于栅极介电层上。在第一导电层与第二导电层之间，第二导电层设置于第一导电层的侧面周围。本发明实施例提供的半导体结构及其制备方法至少可以提高字线的控制能力。本文源自Finance，我会继续。

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半导体结构包括：阵列区和围绕阵列区的分隔区；阵列区包括沿第一方向延伸的位线的一部分和沿第二方向延伸的部分。字线；隔离区包括与阵列区的至少一侧相邻的引出区，并且字线和/或位线也位于引出区中。隔离区包括浅沟槽隔离结构，什么是浅沟槽隔离结构？

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2023年12月12日金融行业消息，根据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司已获得授权公告号CN113745193B，名称为“字线提取结构及制备方法”。申请日期为2020年5月。专利摘要显示，本申请涉及一种字线引出结构及其制备方法，在基板上形成沿X轴方向延伸的字线。沿Y轴方向形成小毛猫。

第二沟槽隔离结构和第三沟槽隔离结构；形成两个间隔设置的栅极沟槽，其底面与衬底的上表面接触，且目标半导体层位于栅极沟槽内的部分暴露并悬空；在栅极沟槽中形成围绕目标半导体层的栅极结构。本发明实施例在保证单位体积的存储单元数量不减少的情况下，至少可以增加字线结构占用的空间。我会继续。

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目标栅极沟槽的沿第二方向延伸的侧壁包括由内向外依次层叠的第一子侧壁和第二子侧壁。在目标栅极沟槽内部形成沿第二方向间隔设置的目标半导体层的两个栅极结构。本发明可以在不减少单位体积的存储单元数量的情况下，至少增加单个存储单元结构中栅极结构和字线结构的厚度。

词的演变长鑫存储技术有限公司申请了公开号为“半导体结构”CN117316923A，申请日期为2022年6月。专利摘要显示，本发明实施例涉及半导体技术领域并提供一种半导体结构。该半导体结构包括：多条字线，沿第一方向延伸并沿第三方向间隔开。多条字线沿第二方向延伸并沿第三方向排列。小毛猫向三个方向间隔排列。